Khi Thụy Điển đẩy nhanh quá trình chuyển đổi năng lượng sạch và hiện đại hóa lưới điện,Hệ thống lưu trữ năng lượng pin (BESS) và các biến tần lưới hai chiều đang được triển khai rộng rãi trên các khu dân cư,thương mại,và các mạng vi mô công nghiệp.Để đạt được hiệu quả chuyển đổi điện năng cao hơn và các yếu tố hình dạng nhỏ gọn,PCBA biến tần lưu trữ hiện đại ngày càng sử dụng các chất bán dẫn băng tần rộng như Silicon Carbide (SiC) và Gallium Nitride (GaN).Trong khi tần số chuyển đổi cao làm giảm mất điện,chúng tạo ra nhiễu điện từ tần số cao (EMI),đặt ra những thách thức đáng kể đối với sự ổn định lưới điện và tuân thủ quy định của châu Âu.
Trong cơ sở hạ tầng năng lượng mật thiết của Thụy Điển,Các lỗ hổng EMI trên điều khiển biến tần và bảng điện tập trung xung quanh ba vấn đề quan trọng:
Tiếng ồn chế độ thông thường và chế độ khác biệt:Chuyển đổi chuyển đổi nano giây trong các giai đoạn năng lượng SiC / GaN tạo ra cựcdv/dtvàdi/dtnhững người tạm thời,bơm các âm thanh cao tần vào dây điện và làm gián đoạn các mô-đun liên lạc liền kề.
Sự bão hòa từ tính và ghép lưu lượng lạc:Các cảm ứng không được bảo vệ thông thường phát ra luồng từ xa xôi dưới dòng sóng cao,kết nối tiếng ồn vào các dấu vết cảm biến dòng điện nhạy cảm và mất hiệu quả lọc do bão hòa lõi dưới tải cao điểm.
Các nút thắt tuân thủ EMC của EU:Thiết bị được kết nối với lưới điện ở Thụy Điển phải vượt qua các chỉ thị EMC nghiêm ngặt của châu Âu (như loạt EN 61000).Chọn thành phần bộ lọc không tối ưu thường dẫn đến thất bại trong thử nghiệm phát xạ (RE) và phát xạ dẫn (CE),trì hoãn việc triển khai thị trường.
Để ngăn chặn tiếng ồn chuyển đổi tần số cao ở cấp phần cứng,Các nhóm kỹ thuật mạch TEC khuyến cáo các chiến lược lựa chọn thành phần sau đây cho PCBA biến tần lưu trữ năng lượng:
Quy tắc lựa chọn:Thay thế các cảm ứng mở khung dây cuộn vớiMáy dẫn điện được đúc bằng từ tínhsử dụng Sendust hoặc lõi bột hợp kim kim loại từ tính mềm trên các giai đoạn chuyển đổi chính.
Giá trị kỹ thuật:Các cấu trúc composite đúc có chứa luồng từ bên trong,giảm thiểu sự ghép nối điện từ vào các mạch phản hồi tương tự gần đó.Ngoài ra,Các lõi bột hợp kim kim có đặc điểm bão hòa mềm và tổn thất lõi tần số cao thấp,duy trì độ hấp dẫn ổn định trong quá trình tải trọng lớn.
Quy tắc lựa chọn:Xây dựngChoke-mode chung với lõi nanokristalincó hình học cuộn cắt trên cả mạng lưới AC và giao diện pin DC.
Giá trị kỹ thuật:So với ferrite tiêu chuẩn,lõi nanocrystalline cung cấp độ thấm ban đầu cao hơn đáng kể trên một phổ tần số rộng.Vòng tròn cắt giảm tối thiểu dung lượng ký sinh trùng giữa các vòng tròn,Cung cấp độ suy giảm tần số cao vượt trội để ngăn chặn tiếng ồn chuyển mạch lan sang lưới điện.
Quy tắc lựa chọn:Động lực chuỗi tương đương thấp (ESL)Máy nén phim polypropylene kim loại hóa (MKP)với các MLCC hình học ngược trên liên kết DC,trong khi chỉ định chống ẩmIEC 60384-14Các tụ điện an toàn X2/Y2 được chứng nhận tại cổng AC.
Giá trị kỹ thuật:Một nhiều giai đoạn,Mạng lưới tách băng thông rộng thiết lập các tuyến đường trở lại trở lại cực thấp qua các tần số hài hòa khác nhau,kẹp các đỉnh điện áp chuyển mạch và bảo vệ các bộ điều khiển DSP chính khỏi việc thiết lập lại gây ra tiếng ồn.
Đối với phát triển biến tần lưu trữ năng lượng thông minh của Thụy Điểngiảm thiểu EMI chủ động điều chỉnh cả độ tin cậy lưới và thời gian chứng nhận.Bằng cách tích hợpMáy truyền năng lượng được đúc chắn, Choke nanocrystalline chung chế độ,vàCác mảng tụ điện bộ lọc an toàn ESL thấp,Các nhóm kỹ thuật ngăn chặn tiếng ồn chuyển đổi tần số cao tại nguồn;đảm bảo sự tuân thủ EMC EU liền mạch và ổn định hoạt động lâu dài.
Khi Thụy Điển đẩy nhanh quá trình chuyển đổi năng lượng sạch và hiện đại hóa lưới điện,Hệ thống lưu trữ năng lượng pin (BESS) và các biến tần lưới hai chiều đang được triển khai rộng rãi trên các khu dân cư,thương mại,và các mạng vi mô công nghiệp.Để đạt được hiệu quả chuyển đổi điện năng cao hơn và các yếu tố hình dạng nhỏ gọn,PCBA biến tần lưu trữ hiện đại ngày càng sử dụng các chất bán dẫn băng tần rộng như Silicon Carbide (SiC) và Gallium Nitride (GaN).Trong khi tần số chuyển đổi cao làm giảm mất điện,chúng tạo ra nhiễu điện từ tần số cao (EMI),đặt ra những thách thức đáng kể đối với sự ổn định lưới điện và tuân thủ quy định của châu Âu.
Trong cơ sở hạ tầng năng lượng mật thiết của Thụy Điển,Các lỗ hổng EMI trên điều khiển biến tần và bảng điện tập trung xung quanh ba vấn đề quan trọng:
Tiếng ồn chế độ thông thường và chế độ khác biệt:Chuyển đổi chuyển đổi nano giây trong các giai đoạn năng lượng SiC / GaN tạo ra cựcdv/dtvàdi/dtnhững người tạm thời,bơm các âm thanh cao tần vào dây điện và làm gián đoạn các mô-đun liên lạc liền kề.
Sự bão hòa từ tính và ghép lưu lượng lạc:Các cảm ứng không được bảo vệ thông thường phát ra luồng từ xa xôi dưới dòng sóng cao,kết nối tiếng ồn vào các dấu vết cảm biến dòng điện nhạy cảm và mất hiệu quả lọc do bão hòa lõi dưới tải cao điểm.
Các nút thắt tuân thủ EMC của EU:Thiết bị được kết nối với lưới điện ở Thụy Điển phải vượt qua các chỉ thị EMC nghiêm ngặt của châu Âu (như loạt EN 61000).Chọn thành phần bộ lọc không tối ưu thường dẫn đến thất bại trong thử nghiệm phát xạ (RE) và phát xạ dẫn (CE),trì hoãn việc triển khai thị trường.
Để ngăn chặn tiếng ồn chuyển đổi tần số cao ở cấp phần cứng,Các nhóm kỹ thuật mạch TEC khuyến cáo các chiến lược lựa chọn thành phần sau đây cho PCBA biến tần lưu trữ năng lượng:
Quy tắc lựa chọn:Thay thế các cảm ứng mở khung dây cuộn vớiMáy dẫn điện được đúc bằng từ tínhsử dụng Sendust hoặc lõi bột hợp kim kim loại từ tính mềm trên các giai đoạn chuyển đổi chính.
Giá trị kỹ thuật:Các cấu trúc composite đúc có chứa luồng từ bên trong,giảm thiểu sự ghép nối điện từ vào các mạch phản hồi tương tự gần đó.Ngoài ra,Các lõi bột hợp kim kim có đặc điểm bão hòa mềm và tổn thất lõi tần số cao thấp,duy trì độ hấp dẫn ổn định trong quá trình tải trọng lớn.
Quy tắc lựa chọn:Xây dựngChoke-mode chung với lõi nanokristalincó hình học cuộn cắt trên cả mạng lưới AC và giao diện pin DC.
Giá trị kỹ thuật:So với ferrite tiêu chuẩn,lõi nanocrystalline cung cấp độ thấm ban đầu cao hơn đáng kể trên một phổ tần số rộng.Vòng tròn cắt giảm tối thiểu dung lượng ký sinh trùng giữa các vòng tròn,Cung cấp độ suy giảm tần số cao vượt trội để ngăn chặn tiếng ồn chuyển mạch lan sang lưới điện.
Quy tắc lựa chọn:Động lực chuỗi tương đương thấp (ESL)Máy nén phim polypropylene kim loại hóa (MKP)với các MLCC hình học ngược trên liên kết DC,trong khi chỉ định chống ẩmIEC 60384-14Các tụ điện an toàn X2/Y2 được chứng nhận tại cổng AC.
Giá trị kỹ thuật:Một nhiều giai đoạn,Mạng lưới tách băng thông rộng thiết lập các tuyến đường trở lại trở lại cực thấp qua các tần số hài hòa khác nhau,kẹp các đỉnh điện áp chuyển mạch và bảo vệ các bộ điều khiển DSP chính khỏi việc thiết lập lại gây ra tiếng ồn.
Đối với phát triển biến tần lưu trữ năng lượng thông minh của Thụy Điểngiảm thiểu EMI chủ động điều chỉnh cả độ tin cậy lưới và thời gian chứng nhận.Bằng cách tích hợpMáy truyền năng lượng được đúc chắn, Choke nanocrystalline chung chế độ,vàCác mảng tụ điện bộ lọc an toàn ESL thấp,Các nhóm kỹ thuật ngăn chặn tiếng ồn chuyển đổi tần số cao tại nguồn;đảm bảo sự tuân thủ EMC EU liền mạch và ổn định hoạt động lâu dài.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski